Производитель Номер продукта:
IPI023NE7N3 G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI023NE7N3 G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
12802867
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI023NE7N3 G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 273µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI023N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IFEINFIPI023NE7N3 G
2156-IPI023NE7N3 G-IT
IPI023NE7N3 G-DG
IPI023NE7N3G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP023NE7N3GXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
460
Номер части
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.96
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR6215CPBF
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
IRF2807ZSPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
IRFR15N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
